新一代X射线成像系统
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离线式IC半导体 X-RAY DR

采用自主研发的碳纳米管X光管以及高分辨率平板探测器,
能够快速获取优质的二维检测图像。最优分辨率可达到2.5μm
轻松胜任各种IC半导体的尺寸和缺陷检测需求。广泛应用于新产品
研发及质量抽检、失效分析。
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离线式IC半导体 X-ray DR检测设备
离线式IC半导体 X-ray DR检测设备
离线式IC半导体 X-ray DR检测设备
离线式IC半导体 X-ray DR检测设备

专为IC半导体产业设计

适用于不同类型的IC半导体检测
Mini LED 芯片检测 IGBT元件
缺陷检测

离线式IC半导体 X-ray DR检测设备

采用自主研发的碳纳米管X光管

高光子效率碳纳米管
一体化X射线源
支持多角度2.5D检测 可升级为3D
可提供定制化软件功能

离线式IC半导体 X-ray DR检测设备

一键获取高分辨率的图像

最优分辨率可达到2.5μm
轻松胜任各种物体尺寸
和缺陷检测 广泛应用于
新产品研发及质量抽检、失效分析

离线式IC半导体 X-ray DR检测设备
应用案例&检测效果
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规格参数
  • 系统参数
  • X射线源
  • 探测器
系统参数 灰度等级 14/16bits
系统分辨率 2.5μm
标准外形尺寸 1454x1360x1785mm
整体重量 1000kg
载物台尺寸 510x440mm
最大倾斜角度 60°
X射线源 工作电压 90~150KV
工作电流 10~150μA
焦点尺寸 3~15μm 可选
光管类型 闭管
探测器 探测器类型 数字平板探测器
像素尺寸 49.5μm 可选配更高级别
像素数量 1300x1152 可选配更高级别
成像面积 64x57mm 可选配更高级别
服务支持
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