离线式IC半导体 X-RAY DR 检测设备_IC半导体行业_一体化X光射线源检测仪-昊志影像

基于碳纳米管场致发射冷阴极的X光管研发与生产技术高品质X射线源平板探测器基于压缩感知理论的迭代CT重建算法可对接业内顶尖的图像后处理分析软件

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采用自主研发的碳纳米管X光管以及高分辨率平板探测器，能够快速获取优质的二维检测图像。最优分辨率可达到2.5μm 轻松胜任各种IC半导体的尺寸和缺陷检测需求。广泛应用于新产品研发及质量抽检、失效分析。

专为IC半导体产业设计

适用于不同类型的IC半导体检测
Mini LED 芯片检测 IGBT元件
缺陷检测

采用自主研发的碳纳米管X光管

高光子效率碳纳米管
一体化X射线源
支持多角度2.5D检测可升级为3D
可提供定制化软件功能

一键获取高分辨率的图像

最优分辨率可达到2.5μm
轻松胜任各种物体尺寸
和缺陷检测广泛应用于
新产品研发及质量抽检、失效分析

应用案例&检测效果

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规格参数

系统参数
X射线源
探测器

系统参数	灰度等级	14/16bits
	系统分辨率	2.5μm
	标准外形尺寸	1454x1360x1785mm
	整体重量	1000kg
	载物台尺寸	510x440mm
	最大倾斜角度	60°

X射线源	工作电压	90~150KV
	工作电流	10~150μA
	焦点尺寸	3~15μm	可选
	光管类型	闭管

探测器	探测器类型	数字平板探测器
	像素尺寸	49.5μm	可选配更高级别
	像素数量	1300x1152	可选配更高级别
	成像面积	64x57mm	可选配更高级别

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